庄闲和游戏-新紫光半导体申请改善低温沉积工艺制程缺陷方法专利显著提高半导体器件产品的良率和一致性

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　　国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“改善低温沉积工艺制程缺陷的方法”的专利，公开号CN122061124A，申请日期为2024年11月。

　　专利摘要显示，本公开涉及一种改善低温沉积工艺制程缺陷的方法，该方法包括：在沉积反应腔内通过低温沉积工艺制备间隔层；在沉积完成后，对所述沉积反应腔进行反应性吹扫，以去除所述沉积反应腔内的含氯副产物；其中，所述反应性吹扫的吹扫气体包括氨气。本公开方法能够有效改善低温沉积工艺中因含氯副产物残留而引起的制程缺陷，显著提高半导体器件产品的良率和一致性，降低因不良品检测或返工导致的生产成本增加，适用于各类先进半导体制造工艺，具有显著的工业应用价值和推广潜力。

　　天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息104条。

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